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mos管源漏极 mosfet管栅极电压 P型mosfet管的分析
大部分MOSFET管指定了最大栅源极间电压(±20V）。假定超越这个限制，器件就容易被损坏。当MOSFET管工作时运用栅极输入电阻，并在一个具有较大供电电压的电路中关断 ，就会呈现栅极电压超限的问题 。以一个工作于直流线电压为 160V （ 最大可为 186V） 电路...www.kiaic.com/article/detail/232.html 2018-03-29
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MOS晶体管种类 mos管种类名称详解！
N沟MOS晶体管：衬底为P型，源漏为重掺杂的N＋，沟道中载流子为电子。P沟MOS晶体管：衬底为N型，源漏为重掺杂的P＋，沟道中载流子为空穴。在正常青况下，只需一种类型的载流子在工作，因此也称其为单极晶体管。按工作方式分增强型晶体管：若在零栅压下不存在漏源...www.kiaic.com/article/detail/233.html 2018-03-29
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mos管工作用途是什么 开关是什么 通断注意方法
MOS管的开关条件”前而处置了MOS管的按法问题，接下来谈谈MOS管’ 的 开关条件·控制极电平为 “ 1_V ” 时MOS管导通 （饱和导通) 控制极电平为 “ 1_V ” 时MOS管截止这个问题触及到MOS管原理只记结果：不论N沟道还是Pr句道MOS管，G极电压都是与S极做比较...www.kiaic.com/article/detail/234.html 2018-03-29
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mos管是什么 三极管和mos管有时什么区别
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是能够对调的，他们都是在P型backgate中构成的N型区。在多数状况下，这个两个区是一样的，即便两端对调也不会影响器件的...www.kiaic.com/article/detail/235.html 2018-03-29
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CMOS的栅极 双极型晶体管 P沟道MOSFET
CMOS反相器，上方PMOS的栅极与下方NMOS的栅极相连，两种器件皆为加强型MOSFET；对PMOS器件而言，阈值电压VTn小于零，而对NMOS器件而言，阈值电压VTn大于零（通常阈值电压约为1/4VDD）．当输入电压Y1为接地或是小的正电压时，PMOS器件导通(PMOS栅极-地间的电势为...www.kiaic.com/article/detail/237.html 2018-03-29
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cmos反相器 工作原理是什么 特性是什么
CMOS反相墨为CMOS逻辑电路的基本单元．在CMOS反相器中，p与n沟道晶体管的栅极衔接在一同，并作为此反相器的输入端，而此二晶体管的漏极也连接在一同，并作为反相器的输出端.n沟道MOSFET的源极与衬底接点均接地，而p沟道MOSFET的源极与衬底则衔接至电源供应端(V...www.kiaic.com/article/detail/238.html 2018-03-29
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mos管作用是什么？ 功率原理是什么？
MOSFET的中文称号是金属氧化物半导体场效应晶体管，也叫绝缘栅场效应晶体管，缩写为MOSFET，简称MOS管。功率MOSFET是一类导电沟道槽结构特殊的场效应管，它是继MOSFET之后新展开起来的高效、功率开关器件。它不只继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108?）、驱动...www.kiaic.com/article/detail/239.html 2018-03-29
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电阻具体能起到什么作用
(1)可以快速恢复，以满足越来越高的速度需求。以开战电源为例，采用双极型晶体管n寸-速度能够到达几十千赫兹；运用MOSFET和ICBT时，速度能够到达几百千赫兹；而采用了谐振技术函亓关电源，速度则能够到达兆赫兹以上。(2)通态压降（1E向压降）降低，这能够减少器...www.kiaic.com/article/detail/240.html 2018-03-29
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MOS的6大失效原因 ，以及解决方案答案
MOS管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是能够对调的，他们都是在P型backgate中构成的N型区。在多数状况下，这个两个区是一样的，即便两端对调也不会影响器件...www.kiaic.com/article/detail/241.html 2018-03-29
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LED电源发热烧坏MOS管五大技术点分析
本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假定芯片耗费的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会惹起芯片的发热。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的耗费，简单的计算公式为I=cvf（思索充电的电阻效益，理论I=2cvf，其中c为...www.kiaic.com/article/detail/242.html 2018-03-29
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三端稳压器-三端稳压器7805参数-三端稳压器基础知识-KIA MOS管
7805N沟道MOSFET 1.5A/30VTO-220封装，三端稳压集成电路有正电压输出的78××系列和负电压输出的79××系列，三端IC是指这种稳压用的集成电路，只有三条引脚输出，分别是输入端、接地端和输出端。它的样子像是普通的三极管，TO-220的标准封装。...www.kiaic.com/article/detail/763.html 2018-03-29
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mos管参考选型表
mos管参考选型表www.kiaic.com/article/detail/244.html 2018-03-28
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超结MOSFET和Sic二极管 提高变换效率的技术趋势
超级结MOSFET和SiC二极管的不断发展给设计人员在优化成本敏感的功率变换应用的性能和效率带来了更多的自由。电源设计要求效率增益及更多其他要求为了继续提高如PFC和开关电源等功率变换系统的工作效率，超级结MOSFET和宽禁带的sic二极管已成为具有节能意识的设...www.kiaic.com/article/detail/246.html 2018-03-28
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怎样读懂MOS管的参数，参数详解
1.开启电压VT-开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开端构成导电沟道所需的栅极电压；-规范的N沟道MOS管，VT约为3～6V；-经过工艺上的改良，能够使MOS管的VT值降到2～3V。2. 直流输入电阻RGS-即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比-这一特性有时以流...www.kiaic.com/article/detail/247.html 2018-03-28